Jonctions tunnels à base d'hétérostructures à semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multi-jonctions à haut rendement - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Jonctions tunnels à base d'hétérostructures à semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multi-jonctions à haut rendement

Domaines

Optique / photonique Matériaux

Guilhem Almuneau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01857570

Soumis le : jeudi 16 août 2018-16:20:21

Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:05

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Dates et versions

hal-01857570 , version 1 (16-08-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01857570 , version 1

Citer

Kevin Louarn, Alexandre Bounouh, Chantal Fontaine, François Olivie, Guillaume Libaude, et al.. Jonctions tunnels à base d'hétérostructures à semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multi-jonctions à haut rendement. Journées Nationales du Photovoltaïque 2015 (JNPV 2015), Dec 2015, Dourdan, France. ⟨hal-01857570⟩

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