Novel 3D back-to-back diodes ESD protection - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Novel 3D back-to-back diodes ESD protection

Bertrand Courivaud
  • Fonction : Auteur
Équipe Énergie et Systèmes Embarqués
Nicolas Nolhier
Équipe Énergie et Systèmes Embarqués
G. Ferru
  • Fonction : Auteur
IPDiA
Marise Bafleur
Équipe Énergie et Systèmes Embarqués
CV
Fabrice Caignet
Équipe Énergie et Systèmes Embarqués

Résumé

A 3D technology is used to design ESD protection devices. Based on back-to-back diodes, these devices are dedicated to first stage, external ESD protection. The main feature consists in using deep trenches, usually employed to build capacitors, to design 3D diodes. Specific trench configuration improves cumulative ESD stress robustness.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Fichier principal
Vignette du fichier
EOS-ESD-2014-COURIVAUD-last.pdf (1.5 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Marise Bafleur  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01843388

Soumis le : mercredi 18 juillet 2018-16:47:14

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:22

Archivage à long terme le : vendredi 19 octobre 2018-21:58:16

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-01843388 , version 1 (18-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01843388 , version 1

Citer

Bertrand Courivaud, Nicolas Nolhier, G. Ferru, Marise Bafleur, Fabrice Caignet. Novel 3D back-to-back diodes ESD protection. Electrical Overstress/Electrostatic Discharge (EOS/ESD) Symposium , Sep 2014, Tucson, AZ, United States. 4p. ⟨hal-01843388⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLSE2 CNRS INSA-TOULOUSE LAAS UT1-CAPITOLE LAAS-ESE LAAS-GESTION-DE-L-ENERGIE INSA-GROUPE TOULOUSE-INP UNIV-UT3 UT3-TOULOUSEINP
86 Consultations
600 Téléchargements

Partager

More