3D Simulation Analysis of Bipolar Amplification in Planar Double-Gate and FinFET with Independent Gates - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

3D Simulation Analysis of Bipolar Amplification in Planar Double-Gate and FinFET with Independent Gates

Résumé

The bipolar amplification and charge collection of Planar Double-Gate and FinFET with independent gates is simulated. The transient response of independent gate devices is compared to that of conventional devices having the gates tied together.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Sciences de l'ingénieur [physics]
Fichier principal
Vignette du fichier
radecs2008_IDG.pdf (290.79 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Mathieu Moreau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01841105

Soumis le : mardi 17 juillet 2018-09:45:48

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Archivage à long terme le : jeudi 18 octobre 2018-13:04:12

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-01841105 , version 1 (17-07-2018)

Identifiants

Citer

Daniela Munteanu, Jean-Luc Autran, Mathieu Moreau. 3D Simulation Analysis of Bipolar Amplification in Planar Double-Gate and FinFET with Independent Gates. Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS), Sep 2008, Jyväskylä, Finland. pp.280-283, ⟨10.1109/RADECS.2008.5782727⟩. ⟨hal-01841105⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU IM2NP
46 Consultations
201 Téléchargements

Altmetric

Partager

More