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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Novel AlN/GaN HEMT Electrical Model including Trapping Effects

Mohamed Bouslama
Ahmad Al Hajjar
  • Fonction : Auteur
Raphaël Sommet

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01837070 , version 1 (12-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01837070 , version 1

Citer

Mohamed Bouslama, Julien Couvidat, Ahmad Al Hajjar, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. Novel AlN/GaN HEMT Electrical Model including Trapping Effects . INMMIC 2018 : International Workshop On Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits, Jul 2018, Brive la Gaillarde, France. ⟨hal-01837070⟩
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