A Large-Signal Millimeter-wave InP/GaInAs Phototransistor Model: Method of Parameters Extraction and Maximum Gain Investigation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1999

A Large-Signal Millimeter-wave InP/GaInAs Phototransistor Model: Method of Parameters Extraction and Maximum Gain Investigation

Jean-Luc Polleux
Electronique, Systèmes de communication et Microsystèmes
L. Paszkiewicz
  • Fonction : Auteur
J. Salset
  • Fonction : Auteur
N. Chennafi
  • Fonction : Auteur
C. Gonzalez
  • Fonction : Auteur
C. Rumelhard
  • Fonction : Auteur
J. Thuret
  • Fonction : Auteur

Domaines

Optique / photonique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Jean-Luc Polleux  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01835059

Soumis le : mercredi 11 juillet 2018-10:31:30

Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:04

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Dates et versions

hal-01835059 , version 1 (11-07-2018)

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Citer

Jean-Luc Polleux, L. Paszkiewicz, J. Salset, N. Chennafi, C. Gonzalez, et al.. A Large-Signal Millimeter-wave InP/GaInAs Phototransistor Model: Method of Parameters Extraction and Maximum Gain Investigation. 29th European Microwave Conference, 1999, Oct 1999, Munich, France. ⟨10.1109/EUMA.1999.338337⟩. ⟨hal-01835059⟩

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