Flexible metal-semiconductor-metal device prototype on wafer-scale thick boron nitride layers grown by MOVPE - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Scientific Reports Année : 2017

Flexible metal-semiconductor-metal device prototype on wafer-scale thick boron nitride layers grown by MOVPE

Xin Li
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 758835
  • IdRef : 193139367
Taha Ayari
  • Fonction : Auteur
Youssef El Gmili
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 767648
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Muhbub Alam
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Dates et versions

hal-01830854 , version 1 (05-07-2018)

Identifiants

Citer

Xin Li, Matthew B Jordan, Taha Ayari, Suresh Sundaram, Youssef El Gmili, et al.. Flexible metal-semiconductor-metal device prototype on wafer-scale thick boron nitride layers grown by MOVPE. Scientific Reports, 2017, 7 (1), ⟨10.1038/s41598-017-00865-7⟩. ⟨hal-01830854⟩
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