GaSb based, 1.55 µm laser monolithically integrated on Silicon substrate operating at room temperature - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

GaSb based, 1.55 µm laser monolithically integrated on Silicon substrate operating at room temperature

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Electronique

Dauverchain Eric  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01828237

Soumis le : mardi 3 juillet 2018-10:04:07

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01828237 , version 1 (03-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01828237 , version 1

Citer

L. Cerutti, J.-B. Rodriguez, Eric Tournié. GaSb based, 1.55 µm laser monolithically integrated on Silicon substrate operating at room temperature. IEEE Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2010, 2010, Kagawa, Japan. ⟨hal-01828237⟩

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