Article Dans Une Revue
Superlattices and Microstructures
Année : 2015
Christine Robert-Goumet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01827592
Soumis le : lundi 2 juillet 2018-15:03:49
Dernière modification le : jeudi 7 mars 2024-10:14:03
Citer
Christine Robert-Goumet, A. Kacha, B. Akkal, Z. Benamara, M. Amrani, et al.. Effects of the GaN layers and the annealing on the electrical properties in the Schottky diodes based on nitrated GaAs. Superlattices and Microstructures, 2015, 83, pp.827 - 833. ⟨10.1016/j.spmi.2015.04.017⟩. ⟨hal-01827592⟩
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