Efficient multi sub-band Monte Carlo simulation of nano-scaled Double Gate MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Efficient multi sub-band Monte Carlo simulation of nano-scaled Double Gate MOSFETs

Damien Querlioz
Arnaud Bournel
Philippe Dollfus

Résumé

— An efficient two-dimensional self-consistent Monte-Carlo simulator including multi sub-band transport in a 2D electron gas is described. This simulator takes into account both out of equilibrium transport and quantization effects. A new algorithm improves significantly computation time and allows us to study the sub-threshold behavior of deep sub-100 nm CMOS devices. We analyze quantization effects in a 15 nm-long DGMOS transistor.
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hal-01827057 , version 1 (01-07-2018)

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Citer

Jérôme Saint-Martin, Damien Querlioz, Arnaud Bournel, Philippe Dollfus. Efficient multi sub-band Monte Carlo simulation of nano-scaled Double Gate MOSFETs. 2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, Sep 2006, Monterey, United States. ⟨10.1109/SISPAD.2006.282875⟩. ⟨hal-01827057⟩
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