Impact of Single Event Gate Rupture and latent defects on Power MOSFETs switching operation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Impact of Single Event Gate Rupture and latent defects on Power MOSFETs switching operation

M. Petit
N. Chatry
  • Fonction : Auteur
G. Chaumont
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01824651 , version 1 (27-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01824651 , version 1

Citer

A. Privat, Antoine Touboul, M. Petit, J. Huselstein, Frédéric Wrobel, et al.. Impact of Single Event Gate Rupture and latent defects on Power MOSFETs switching operation. IEEE RADECS 2013, 2013, Oxford, United Kingdom. ⟨hal-01824651⟩
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