A Thermal Annealing Approach to Extend Metal Oxide Semiconductor Devices Lifetime Exposed to Very High Dose Levels
F. Roig
(1)
,
L. Dusseau
(2, 3, 4)
,
J. Boch
(2, 3)
,
Frédéric Saigné
(2, 3)
,
J.-R. Vaillé
(2, 3)
,
Antoine Touboul
(2, 3)
,
P. C. Adell
(5)
,
E. Lorfèvre
(6)
,
R. Ecoffet
(6)
1
CEA -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
2 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
3 RADIAC - Radiations et composants
4 CSU - Centre Spatial Universitaire de Montpellier-Nîmes
5 JPL - Jet Propulsion Laboratory
6 CNES - Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]
2 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
3 RADIAC - Radiations et composants
4 CSU - Centre Spatial Universitaire de Montpellier-Nîmes
5 JPL - Jet Propulsion Laboratory
6 CNES - Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]
L. Dusseau
- Fonction : Auteur
- PersonId : 21031
- IdHAL : laurent-dusseau
- IdRef : 107779064
J. Boch
- Fonction : Auteur
- PersonId : 18222
- IdHAL : jerome-boch
- ORCID : 0000-0002-5660-7501
- IdRef : 076170632
Frédéric Saigné
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19534
- IdHAL : frederic-saigne
- IdRef : 110480821
J.-R. Vaillé
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19297
- IdHAL : jean-roch-vaille
- ORCID : 0000-0003-1367-0225
- IdRef : 079304702
Antoine Touboul
- Fonction : Auteur
- PersonId : 20946
- IdHAL : antoinetouboul
- ORCID : 0000-0002-2714-849X
- IdRef : 074257323
E. Lorfèvre
- Fonction : Auteur
- PersonId : 6087
- IdHAL : matthieu-kretzschmar
- ORCID : 0000-0001-5796-6138
- IdRef : 070177910