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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Velocity effect on heavy ion-induced gate oxide latent defects

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01823532 , version 1 (26-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01823532 , version 1

Citer

Antoine Touboul, M. Portier, R. Arinero, G. Chaumont, Frédéric Saigné, et al.. Velocity effect on heavy ion-induced gate oxide latent defects. 47th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference, 2010, Denver, United States. ⟨hal-01823532⟩
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