Study of Latent Defects Induced by Swift Heavy Ion Irradiation on MOS Devices Gate Oxide
M. Marinoni
(1)
,
Antoine Touboul
(1, 2)
,
D. Zander
,
C. Petit
,
A.M.J.F. Carvalho
(1)
,
R. Arinero
(1, 3)
,
M. Ramonda
(1)
,
Frédéric Saigné
(1, 2)
,
C. Weulersse
,
N. Buard
(4)
,
T. Carriere
(4)
,
E. Lorfèvre
(5)
Antoine Touboul
- Fonction : Auteur
- PersonId : 20946
- IdHAL : antoinetouboul
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- IdRef : 074257323
D. Zander
- Fonction : Auteur
C. Petit
- Fonction : Auteur
R. Arinero
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : richard-arinero
- ORCID : 0000-0002-2578-2606
- IdRef : 079363083
Frédéric Saigné
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19534
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C. Weulersse
- Fonction : Auteur
E. Lorfèvre
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : matthieu-kretzschmar
- ORCID : 0000-0001-5796-6138
- IdRef : 070177910