Method for obtaining a graphene-based field effect transistor, in particular a memory field effect transistor, equipped with an embedded dielectric element - Archive ouverte HAL
Brevet Année : 2016

Method for obtaining a graphene-based field effect transistor, in particular a memory field effect transistor, equipped with an embedded dielectric element

Mohamed Boutchich
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
CV
Chao-Sung Lai
  • Fonction : Auteur
Abdelkarim Ouerghi
Kuan-I Ho
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Mohamed Boutchich  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01814906

Soumis le : mercredi 13 juin 2018-16:22:44

Dernière modification le : mercredi 12 juillet 2023-10:37:49

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01814906 , version 1 (13-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01814906 , version 1

Citer

Mohamed Boutchich, Chao-Sung Lai, Abdelkarim Ouerghi, Kuan-I Ho. Method for obtaining a graphene-based field effect transistor, in particular a memory field effect transistor, equipped with an embedded dielectric element. France, Patent n° : EP 16 305 161.8. 2016. ⟨hal-01814906⟩

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