Correction: Fabrication of poly-crystalline Si-based Mie resonators via amorphous Si on SiO2 dewetting - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanoscale Année : 2016

Correction: Fabrication of poly-crystalline Si-based Mie resonators via amorphous Si on SiO2 dewetting

Résumé

Correction for ‘Fabrication of poly-crystalline Si-based Mie resonators via amorphous Si on SiO2 dewetting’ by Meher Naffouti, et al., Nanoscale, 2016, 8, 2844–2849.

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Luc FAVRE  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01811397

Soumis le : vendredi 8 juin 2018-19:58:15

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-01811397 , version 1 (08-06-2018)

Identifiants

Citer

Meher Naffouti, Thomas David, Abdelmalek Benkouider, Luc Favre, Antoine Ronda, et al.. Correction: Fabrication of poly-crystalline Si-based Mie resonators via amorphous Si on SiO2 dewetting. Nanoscale, 2016, 8 (14), pp.7768--7768. ⟨10.1039/C6NR90067D⟩. ⟨hal-01811397⟩

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