Performance and Modeling of Si-Nanocrystal Double-Layer Memory Devices With High-k Control Dielectrics - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2012

Performance and Modeling of Si-Nanocrystal Double-Layer Memory Devices With High-k Control Dielectrics

Guillaume Gay
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Gabriel Molas
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Marc Bocquet
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
Eric Jalaguier
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Marc Gély
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
L. Masarotto
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J.P Colonna
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Helen Grampeix
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
F. Martin
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Vincent Vidal
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
R. Kies
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Thierry Baron
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Gérard Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
Barbara Desalvo
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marc Bocquet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : vendredi 1 juin 2018-08:45:46

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Identifiants

Citer

Guillaume Gay, Gabriel Molas, Marc Bocquet, Eric Jalaguier, Marc Gély, et al.. Performance and Modeling of Si-Nanocrystal Double-Layer Memory Devices With High-k Control Dielectrics. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (4), pp.933 - 940. ⟨10.1109/TED.2012.2182769⟩. ⟨hal-01804667⟩

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