Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl2/N2/Ar ICP RIE - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl2/N2/Ar ICP RIE

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01798068 , version 1 (23-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01798068 , version 1

Citer

B. Adelin, Q. Gaimard, A. Larrue, A. Lecestre, P. Dubreuil, et al.. Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl2/N2/Ar ICP RIE. MNE 2014, 2014, Lausanne, Switzerland. ⟨hal-01798068⟩
46 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More