Deep etching high aspect ratio in GaInAsSb/AlGaAsSb sector by ICP-RIE plasma B - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Deep etching high aspect ratio in GaInAsSb/AlGaAsSb sector by ICP-RIE plasma B

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01798059 , version 1 (23-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01798059 , version 1

Citer

B. Adelin, A. Larrue, Olivier Gauthier-Lafaye, Antoine Monmayrant, A. Lecestre, et al.. Deep etching high aspect ratio in GaInAsSb/AlGaAsSb sector by ICP-RIE plasma B. PESM 2014, 2014, Grenoble, France. ⟨hal-01798059⟩
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