Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Antimonide-based compound semiconductors and devices grown by molecular beam epitaxy

Domaines

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01797215 , version 1 (22-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01797215 , version 1

Citer

E. Tournié, L. Cerutti, G. Boissier, Y. Rouillard, A. N. Baranov, et al.. Antimonide-based compound semiconductors and devices grown by molecular beam epitaxy. 17th Euro-Molecular Beam Epitaxy (Euro-MBE), 2013, Levi, Finland. ⟨hal-01797215⟩
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