Atomic Layer Deposition from Dissolved Precursors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nano Letters Année : 2015

Atomic Layer Deposition from Dissolved Precursors

Résumé

We establish a novel thin film deposition technique by transferring the principles of atomic layer deposition (ALD) known with gaseous precursors toward precursors dissolved in a liquid. An established ALD reaction behaves similarly when performed from solutions. " Solution ALD " (sALD) can coat deep pores in a conformal manner. sALD offers novel opportunities by overcoming the need for volatile and thermally robust precursors. We establish a MgO sALD procedure based on the hydrolysis of a Grignard reagent

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Dates et versions

hal-01793274 , version 1 (16-05-2018)

Identifiants

Citer

Yanlin Wu, Dirk Döhler, Maïssa K.S. Barr, Elina Oks, Marc Wolf, et al.. Atomic Layer Deposition from Dissolved Precursors. Nano Letters, 2015, 15 (10), pp.6379 - 6385. ⟨10.1021/acs.nanolett.5b01424⟩. ⟨hal-01793274⟩
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