Hight hydrostatic effects on the magneto-capacitance of a GaAlAs–GaAs, HJS - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1992

Hight hydrostatic effects on the magneto-capacitance of a GaAlAs–GaAs, HJS

M. Lefort
  • Fonction : Auteur
Institut de Physique Nucléaire d'Orsay
G. Bastide
  • Fonction : Auteur
A. Foucaran
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
M. Rouzeyre
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique Physique [physics]

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https://hal.science/hal-01792430

Soumis le : mardi 15 mai 2018-14:37:45

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01792430 , version 1 (15-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01792430 , version 1

Citer

M. Lefort, G. Bastide, A. Foucaran, M. Rouzeyre. Hight hydrostatic effects on the magneto-capacitance of a GaAlAs–GaAs, HJS. High Pressure Semiconductors Physics, 1992, Kyoto, Japan. ⟨hal-01792430⟩

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