Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Frédéric Darracq : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01787593
Soumis le : lundi 7 mai 2018-16:29:00
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Citer
Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN HEMTs. 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Mar 2018, Burlingham, United States. ⟨10.1109/IRPS.2018.8353581⟩. ⟨hal-01787593⟩
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