Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Power Electronics
Année : 2016
Zhiguo Zeng : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01786960
Soumis le : lundi 7 mai 2018-10:20:02
Dernière modification le : mardi 31 octobre 2023-09:54:05
Citer
Daniel Astigarraga, Federico Martin Ibanez, Ainhoa Galarza, Jose Martin Echeverria, Inigo Unanue, et al.. Analysis of the Results of Accelerated Aging Tests in Insulated Gate Bipolar Transistors. IEEE Transactions on Power Electronics, 2016, 31 (11), pp.7953 - 7962. ⟨10.1109/TPEL.2015.2512923⟩. ⟨hal-01786960⟩
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