P Type Porous Silicon Resistivity and Carrier Transport

Samuel Ménard; Angélique Fèvre; Jérôme Billoue; Gael Gautier

doi:10.1063/1.4930222

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2015

P Type Porous Silicon Resistivity and Carrier Transport

(1) , , (2) , (2)

1
2

Samuel Ménard

Fonction : Auteur

STMicroelectronics [Tours]

Angélique Fèvre

Fonction : Auteur

Jérôme Billoue

Fonction : Auteur
PersonId : 18454
IdHAL : jerome-billoue
ORCID : 0000-0002-0034-1302
IdRef : 180638785

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

CV

Gael Gautier

Fonction : Auteur
PersonId : 18457
IdHAL : gael-gautier
ORCID : 0000-0002-6854-7040
IdRef : 069994293

GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

CV

Mots clés

Hopping transport Doping Silicon Aluminium Electrical resistivity Porous materials Transport properties Bioelectrochemistry Fermi levels

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Christophe THIBAULT : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01784762

Soumis le : jeudi 3 mai 2018-17:15:27

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-18:28:03

Dates et versions

hal-01784762 , version 1 (03-05-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01784762 , version 1
DOI : 10.1063/1.4930222

Citer

Samuel Ménard, Angélique Fèvre, Jérôme Billoue, Gael Gautier. P Type Porous Silicon Resistivity and Carrier Transport. Journal of Applied Physics, 2015, 118 (10), pp.105703. ⟨10.1063/1.4930222⟩. ⟨hal-01784762⟩

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