State Space Models for Power SiC MOSFET
Représentation d'état pour un MOSFET SiC
Résumé
This paper proposes a State Space Model for a power a Silicon Carbide (SiC) MOSFET. The model uses the electrical EKV MOSFET structure. The model is developed for the SiC MOSFET CMD CREE (V, A) and uses the parameters extracted from datasheet
Domaines
Sciences de l'ingénieur [physics]
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)