Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2014
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Dates et versions

hal-01767970 , version 1 (16-04-2018)

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Citer

Jayalakshmi Parasuraman, Anand Summanwar, Frédéric Marty, Philippe Basset, Dan Angelescu, et al.. Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio. Microelectronic Engineering, 2014, 113, pp.35 - 39. ⟨10.1016/j.mee.2013.06.010⟩. ⟨hal-01767970⟩
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