Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2014

Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Philippe Basset  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01767970

Soumis le : lundi 16 avril 2018-18:06:15

Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:04

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hal-01767970 , version 1 (16-04-2018)

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Citer

Jayalakshmi Parasuraman, Anand Summanwar, Frédéric Marty, Philippe Basset, Dan Angelescu, et al.. Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio. Microelectronic Engineering, 2014, 113, pp.35 - 39. ⟨10.1016/j.mee.2013.06.010⟩. ⟨hal-01767970⟩

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