MOCVD Grown InGaN/GaN Three-Dimensional Islands: Growth Approaches, Strain-Composition Characterization, Exploitation for LEDs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

MOCVD Grown InGaN/GaN Three-Dimensional Islands: Growth Approaches, Strain-Composition Characterization, Exploitation for LEDs

Domaines

Physique [physics]

Isabelle Labau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01763074

Soumis le : mardi 10 avril 2018-16:45:41

Dernière modification le : lundi 13 mai 2024-10:56:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01763074 , version 1 (10-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01763074 , version 1

Citer

Nikolay Cherkashin, Martin Hÿtch, Maxim Korytov, Daniele Barettin, A. V. Sakharov, et al.. MOCVD Grown InGaN/GaN Three-Dimensional Islands: Growth Approaches, Strain-Composition Characterization, Exploitation for LEDs. Energy Materials Nanotechnology (EMN), May 2016, Dubrovnik, Croatia. ⟨hal-01763074⟩

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