Physical Understanding of Program Injection and Consumption in Ultra-Scaled SiN Split-Gate Memories - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Physical Understanding of Program Injection and Consumption in Ultra-Scaled SiN Split-Gate Memories

L. Masoero
  • Fonction : Auteur
M. Gély
  • Fonction : Auteur
P. Colonna
  • Fonction : Auteur
A. de Luca
  • Fonction : Auteur
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
C. Charpin
  • Fonction : Auteur
V. Delaye
  • Fonction : Auteur
F. Aussenac
  • Fonction : Auteur
C. Carabasse
  • Fonction : Auteur
S. Pauliac
  • Fonction : Auteur
C. Comboroure
  • Fonction : Auteur
P. Boivin

Résumé

In this work, a detailed study of the physical mechanisms governing the Source Side Injection programming in ultra-scaled (down to 20nm) SiN split-gate memories is presented. Experimental measurements coupled to static and dynamic TCAD simulations are shown. In particular, we claim that adjusting the select gate voltage in moderate inversion allows for the optimization of the compromise between high electron injection and limited consumption. Then, we show that scaling the dimensions of the select gate can induce a higher consumption, while scaling the memory gate leads to lower programming energy (<1nJ) due to higher injection efficiency, suitable for low power applications.
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Masoero IMW 2012.pdf (899.93 Ko) Télécharger le fichier
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Dates et versions

hal-01760589 , version 1 (29-07-2020)

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Citer

L. Masoero, V. Della Marca, G. Molas, M. Gély, O. Cueto, et al.. Physical Understanding of Program Injection and Consumption in Ultra-Scaled SiN Split-Gate Memories. 2012 4th IEEE International Memory Workshop (IMW), May 2012, Milan, France. ⟨10.1109/IMW.2012.6213686⟩. ⟨hal-01760589⟩
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