Effects of Lightly Doped Drain and Channel Doping Variations on Flash Memory Performances and Reliability - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Low Power Electronics Année : 2012

Effects of Lightly Doped Drain and Channel Doping Variations on Flash Memory Performances and Reliability

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Vincenzo Della Marca  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01760474

Soumis le : vendredi 6 avril 2018-12:53:43

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hal-01760474 , version 1 (06-04-2018)

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Citer

Guillaume Just, V. Della Marca, Arnaud Regnier, Jean-Luc Ogier, Jérémy Postel-Pellerin, et al.. Effects of Lightly Doped Drain and Channel Doping Variations on Flash Memory Performances and Reliability. Journal of Low Power Electronics, 2012, 8 (5), pp.717 - 724. ⟨10.1166/jolpe.2012.1230⟩. ⟨hal-01760474⟩

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