A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAMs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAMs

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Mathieu Moreau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01745729

Soumis le : mercredi 28 mars 2018-14:55:48

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Archivage à long terme le : jeudi 13 septembre 2018-09:38:53

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Dates et versions

hal-01745729 , version 1 (28-03-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01745729 , version 1

Citer

Hassen Aziza, Marc Bocquet, Mathieu Moreau, Jean-Michel Portal. A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAMs. International Semiconductor Device Research Symposium, Dec 2013, Bethesda, United States. ⟨hal-01745729⟩

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