Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memories - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memories

G. Molas
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Marc Bocquet
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
J. Colonna
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Vidal
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
R. Kies
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
F. Martin
  • Fonction : Auteur
A. Papon
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
H. Dansas
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
C. Licitra
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Barnes
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
G. Pananakakis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marc Bocquet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01745640

Soumis le : mercredi 28 mars 2018-14:05:28

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:52:20

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01745640 , version 1 (28-03-2018)

Identifiants

Citer

G. Molas, Marc Bocquet, J. Colonna, V. Vidal, R. Kies, et al.. Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memories. Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application, Apr 2010, Hsin Chu, France. ⟨10.1109/VTSA.2010.5488949⟩. ⟨hal-01745640⟩

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