Solid phase epitaxy - Activation and deactivation of boron in ultra-shallow junctions - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Solid phase epitaxy - Activation and deactivation of boron in ultra-shallow junctions

W. Lerch
  • Fonction : Auteur
S. Paul
  • Fonction : Auteur
J. Niess
  • Fonction : Auteur
Fuccio Cristiano
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
CV
Y. Lamrani
  • Fonction : Auteur
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
P. Calvo
  • Fonction : Auteur
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
Nikolay Cherkashin
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
CV
D.F. Downey
  • Fonction : Auteur
E.A. Arevalo
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-01736100

Soumis le : vendredi 16 mars 2018-16:08:20

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:11

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Dates et versions

hal-01736100 , version 1 (16-03-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01736100 , version 1

Citer

W. Lerch, S. Paul, J. Niess, Fuccio Cristiano, Y. Lamrani, et al.. Solid phase epitaxy - Activation and deactivation of boron in ultra-shallow junctions. Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices , 2004, indéterminée, Unknown Region. pp.90-105. ⟨hal-01736100⟩

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