Deep green and monolithic white LEDs based on combination of short-period InGaN/GaN superlattice and InGaN QWs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Deep green and monolithic white LEDs based on combination of short-period InGaN/GaN superlattice and InGaN QWs

Résumé

This work presents the results of the investigation of approaches to the synthesis of the active region of LED with extended optical range. Combination of short‐period InGaN/GaN superlattice and InGaN quantum well was applied to extend optical range of emission up to 560 nm. Monolithic white LED structures containing two blue and one green QWs separated by the short‐period InGaN/GaN superlattice were grown with external quantum efficiency up to 5–6%.

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Soumis le : vendredi 23 mars 2018-10:19:57

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Dates et versions

hal-01736043 , version 1 (23-03-2018)

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Citer

A.F. Tsatsulnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, S.O. Usov, et al.. Deep green and monolithic white LEDs based on combination of short-period InGaN/GaN superlattice and InGaN QWs. PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2011, Seoul, France. pp.253-254, ⟨10.1063/1.3666350⟩. ⟨hal-01736043⟩

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