Modélisation CEM d'un convertisseur de puissance utilisant des transistors GaN
Résumé
Les composants de puissance à grand gap, SiC ou GaN, permettent d'atteindre de meilleures performances que les composants silicium (IGBT ou MosFet à superjonction), qui se traduisent par des temps de com-mutation plus faibles, des fonctionnements à fréquences de découpage plus importantes, ou des comportements en température plus intéressants. Ces deux première caractéristiques ont une incidence fondamentale sur le comportement CEM des convertisseurs utilisant ces com-posants. Cet article présente la modélisation CEM d'un convertisseur de puissance à base de composants GaN (EPC 2010, 200V 12A). Nous allons d'abord décrire le modèle du transistor adapté à de la modélisation CEM, pour ensuite présenter les mesures effectuées sur un bras de pont composé de deux transistors eGaN FETs, et enfin étudier du point de vue CEM les perturbations conduites générées par une structure LLC à base de transistors GaN fonctionnant à 1 MHz.
Domaines
Energie électrique
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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