Growth temperature dependence of exciton lifetime in wurtzite InP nanowires grown on silicon substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2012

Growth temperature dependence of exciton lifetime in wurtzite InP nanowires grown on silicon substrates

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Dates et versions

hal-01735186 , version 1 (15-03-2018)

Identifiants

Citer

Nicolas Chauvin, M. Hadj Alouane, R. Anufriev, H. Khmissi, K. Naji, et al.. Growth temperature dependence of exciton lifetime in wurtzite InP nanowires grown on silicon substrates. Applied Physics Letters, 2012, 100 (1), ⟨10.1063/1.3674985⟩. ⟨hal-01735186⟩
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