Excitonic properties of wurtzite InP nanowires grown on silicon substrate - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2013

Excitonic properties of wurtzite InP nanowires grown on silicon substrate

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Nicolas Chauvin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01734647

Soumis le : mercredi 14 mars 2018-18:44:41

Dernière modification le : dimanche 14 janvier 2024-17:56:03

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hal-01734647 , version 1 (14-03-2018)

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Citer

M H Hadj Alouane, Nicolas Chauvin, H Khmissi, K Naji, B Ilahi, et al.. Excitonic properties of wurtzite InP nanowires grown on silicon substrate. Nanotechnology, 2013, 24 (3), ⟨10.1088/0957-4484/24/3/035704⟩. ⟨hal-01734647⟩

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