Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Karim Inal : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://minesparis-psl.hal.science/hal-01721378
Soumis le : vendredi 2 mars 2018-09:21:50
Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-16:18:55
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01721378 , version 1
Citer
Catheline Cazako, Karim Inal, Alain Burr, Frédéric Georgi, Rodolphe Cauro. Discharge frequency and reagents choice effects on robustness of silicon nitride (Si3N4) thin layers deposited by PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). European Conference on Heat Treatment and Surface Engineering, Jun 2017, Nice, France. ⟨hal-01721378⟩
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