Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2

A.V. Krivosheeva; V.L. Shaposhnikov; V.E. Borisenko; Jean-Louis Lazzari; N.V. Skorodumova; B.K. Tay

doi:10.1504/IJNT.2015.068886

Article Dans Une Revue International Journal of Nanotechnology Année : 2015

Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2

, , , (1) , ,

1

A.V. Krivosheeva

Fonction : Auteur

V.L. Shaposhnikov

Fonction : Auteur

V.E. Borisenko

Fonction : Auteur

Jean-Louis Lazzari

Fonction : Auteur
PersonId : 18630
IdHAL : jean-louis-lazzari
ORCID : 0000-0002-3315-2663
IdRef : 152006435

Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille

CV

N.V. Skorodumova

Fonction : Auteur

B.K. Tay

Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-01721341

Soumis le : vendredi 2 mars 2018-08:26:49

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-08:39:26

Dates et versions

hal-01721341 , version 1 (02-03-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01721341 , version 1
DOI : 10.1504/IJNT.2015.068886

Citer

A.V. Krivosheeva, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, Jean-Louis Lazzari, N.V. Skorodumova, et al.. Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2. International Journal of Nanotechnology, 2015, 12 (8/9), pp.654 - 662. ⟨10.1504/IJNT.2015.068886⟩. ⟨hal-01721341⟩

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