Article Dans Une Revue
Chinese Journal of Semiconductors
Année : 2015
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https://hal.science/hal-01721079
Soumis le : jeudi 1 mars 2018-16:53:01
Dernière modification le : mardi 8 octobre 2024-13:00:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01721079 , version 1
- DOI : 10.1088/1674-4926/36/12/122002
Citer
Anna Krivosheeva, Victor Shaposhnikov, Victor Borisenko, Jean-Louis Lazzari, Chow Waileong, et al.. Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS 2. Chinese Journal of Semiconductors, 2015, 36 (12), ⟨10.1088/1674-4926/36/12/122002⟩. ⟨hal-01721079⟩
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