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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01718864 , version 1 (27-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01718864 , version 1

Citer

Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, et al.. Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state. JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France. ⟨hal-01718864⟩
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