Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01718850
Soumis le : mardi 27 février 2018-17:14:00
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01718850 , version 1
Citer
Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Comprehensive Study into Underlying Mechanisms of Anomalous Gate Leakage Degradation in GaN High Electron Mobility Transistors. IRPS 2018, Mar 2018, San Francisco, United States. ⟨hal-01718850⟩
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