Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2017
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01718771
Soumis le : mardi 27 février 2018-16:20:58
Dernière modification le : mardi 27 février 2018-16:20:57
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01718771 , version 1
Citer
Laurent Brunel, Benoit Lambert, Dominique Thales R&t Carisetti, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, et al.. Electrical runaway in AlGaN/GaN HEMTs : Physical mechanisms and impact on reliability . IEEE Transactions on Electron Devices, 2017. ⟨hal-01718771⟩
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