Electrical runaway in AlGaN/GaN HEMTs : Physical mechanisms and impact on reliability - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2017

Electrical runaway in AlGaN/GaN HEMTs : Physical mechanisms and impact on reliability

Benoit Lambert
  • Fonction : Auteur
Dominique Thales R&t Carisetti
  • Fonction : Auteur
Nathalie Malbert
  • Fonction : Auteur
Arnaud Curutchet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 853090
Nathalie Labat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 845366

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01718771 , version 1 (27-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01718771 , version 1

Citer

Laurent Brunel, Benoit Lambert, Dominique Thales R&t Carisetti, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, et al.. Electrical runaway in AlGaN/GaN HEMTs : Physical mechanisms and impact on reliability . IEEE Transactions on Electron Devices, 2017. ⟨hal-01718771⟩
12 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More