Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2016
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01718762
Soumis le : mardi 27 février 2018-16:16:29
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01718762 , version 1
Citer
Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, et al.. Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress. Microelectronics Reliability, 2016. ⟨hal-01718762⟩
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