Plasma etching defect formation and changes in the electronic and structural properties of InP/InAsP quantum wells - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Plasma etching defect formation and changes in the electronic and structural properties of InP/InAsP quantum wells

Domaines

Optique / photonique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Physique [physics]

Christophe Levallois  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01710287

Soumis le : jeudi 15 février 2018-17:38:32

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

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Dates et versions

hal-01710287 , version 1 (15-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01710287 , version 1

Citer

Jean-Pierre Landesman, Juan Jiménez, Christophe Levallois, Cesare Frigeri, Alfredo Torres, et al.. Plasma etching defect formation and changes in the electronic and structural properties of InP/InAsP quantum wells. 18th Canadian Semiconductor Science and Technology Conference (CSSTC 2017), Oct 2017, Waterloo, Canada. ⟨hal-01710287⟩

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