Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2015
Stéphane Lefebvre : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01700447
Soumis le : dimanche 4 février 2018-15:52:17
Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01700447 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2015.06.136
Citer
B. Tala-Ighil, J.-L. Trolet, H. Gualous, P. Mary, S. Lefebvre. Experimental and comparative study of gamma radiation effects on Si-IGBT and SiC-JFET. Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1512 - 1516. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.136⟩. ⟨hal-01700447⟩
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