Effets du stress électromagnétique sur un transistor p-HEMT GaAs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01698527 , version 1 (01-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01698527 , version 1

Citer

Maxime Girard, Patrick Hoffmann, Tristan Dubois, Geneviève Duchamp. Effets du stress électromagnétique sur un transistor p-HEMT GaAs. GDR Ondes 2017, Oct 2017, Sophia Antipolis, France. ⟨hal-01698527⟩
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