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Poster De Conférence Année : 2016

Analyse par électroluminescence des dégradations de transistor MOSFET en SiC

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01696225 , version 1 (30-01-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01696225 , version 1

Citer

Tien Anh Nguyen, Echeverri Andres, Mbarek Safa, Niemat Moultif, Pascal Dherbécourt, et al.. Analyse par électroluminescence des dégradations de transistor MOSFET en SiC. Symposium de Génie Electrique 2016 - SGE2016, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01696225⟩
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