Calibration of 1D doping profiles of SiGe HBTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Calibration of 1D doping profiles of SiGe HBTs

T. Rosenbaum
  • Fonction : Auteur
O. Saxod
  • Fonction : Auteur
V. Vu
  • Fonction : Auteur
D. Celi
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
Centre d'études et de recherche en informatique et communications
M. Schroter
  • Fonction : Auteur
C. Maneux
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01695279

Soumis le : lundi 29 janvier 2018-10:58:11

Dernière modification le : vendredi 19 juillet 2024-11:38:04

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Dates et versions

hal-01695279 , version 1 (29-01-2018)

Identifiants

Citer

T. Rosenbaum, O. Saxod, V. Vu, D. Celi, P. Chevalier, et al.. Calibration of 1D doping profiles of SiGe HBTs. 2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, Oct 2015, Boston, France. ⟨10.1109/BCTM.2015.7340550⟩. ⟨hal-01695279⟩

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