Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2017
sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01695254
Soumis le : lundi 29 janvier 2018-10:52:57
Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-19:41:44
Citer
Chhandak Mukherjee, Thomas Jacquet, Gerhard Fischer, Thomas Zimmer, Cristell Maneux. Hot-Carrier Degradation in SiGe HBTs: A Physical and Versatile Aging Compact Model. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (12), pp.4861 - 4867. ⟨10.1109/TED.2017.2766457⟩. ⟨hal-01695254⟩
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