Hot-Carrier Degradation in SiGe HBTs: A Physical and Versatile Aging Compact Model - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2017
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Dates et versions

hal-01695254 , version 1 (29-01-2018)

Identifiants

Citer

Chhandak Mukherjee, Thomas Jacquet, Gerhard Fischer, Thomas Zimmer, Cristell Maneux. Hot-Carrier Degradation in SiGe HBTs: A Physical and Versatile Aging Compact Model. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (12), pp.4861 - 4867. ⟨10.1109/TED.2017.2766457⟩. ⟨hal-01695254⟩
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